Gyártó Termékszám:
FQB9P25TM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQB9P25TM-DG
Leírás:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Részletes leírás:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Készlet:
12838031
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQB9P25TM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
250 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
38 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FQB9
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
800
Egyéb nevek
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF9640STRLPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5539
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF9640STRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.92
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF5210STRLPBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7933
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF5210STRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.26
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK