Gyártó Termékszám:
FQB6N60TM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQB6N60TM-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Készlet:
12839168
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQB6N60TM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FQB6
További információk
Standard csomag
800
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STB8NM60D
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2874
DiGi RÉSZ SZÁM
STB8NM60D-DG
EGYSÉGÁR
0.83
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRFBC30ASTRLPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
579
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFBC30ASTRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.26
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
STB4NK60ZT4
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4369
DiGi RÉSZ SZÁM
STB4NK60ZT4-DG
EGYSÉGÁR
0.77
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
