Gyártó Termékszám:
FQB12P10TM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQB12P10TM-DG
Leírás:
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Részletes leírás:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Készlet:
12838538
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQB12P10TM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
27 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FQB1
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
800
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF5210STRLPBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7933
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF5210STRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.26
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IRFS350A
MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF
AUIRFR6215
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
FQU5N50CTU-WS
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
