Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FQB11P06TM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQB11P06TM-DG
Leírás:
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Részletes leírás:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Készlet:
RFQ Online
12838306
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
Q
F
C
B
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQB11P06TM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
60 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
17 nC @ 10 V
VGS (max.)
±25V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FQB11P06
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FQB11P06TM
HTML Adatlap
FQB11P06TM-DG
További információk
Standard csomag
800
Egyéb nevek
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF9Z34STRRPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
398
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF9Z34STRRPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.20
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF9Z34STRLPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5359
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF9Z34STRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.79
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF9Z34SPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1625
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF9Z34SPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.76
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FQB27P06TM
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
14
DiGi RÉSZ SZÁM
FQB27P06TM-DG
EGYSÉGÁR
0.81
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56