Gyártó Termékszám:
FQA8N100C
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQA8N100C-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Részletes leírás:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Készlet:
230 Új, eredeti, készleten lévő db
12849016
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQA8N100C Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tube
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1000 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
8A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
70 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3220 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
225W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3PN
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FQA8
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Egyéb nevek
FQA8N100C-DG
FQA8N100CFS
2156-FQA8N100C-OS
ONSONSFQA8N100C
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
AOW25S65
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
CPH3362-TL-W
MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH
NCV8440STT3G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
