Gyártó Termékszám:
FQA55N25
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQA55N25-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Részletes leírás:
N-Channel 250 V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Készlet:
12850221
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQA55N25 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
250 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
55A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
180 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
6250 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
310W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3PN
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FQA55
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IXTQ86N25T
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IXTQ86N25T-DG
EGYSÉGÁR
4.53
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IXTQ64N25P
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IXTQ64N25P-DG
EGYSÉGÁR
4.25
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
NTHL041N60S5H
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
166
DiGi RÉSZ SZÁM
NTHL041N60S5H-DG
EGYSÉGÁR
5.17
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
AO4421L
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SO
HUF76445S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FQA90N10V2
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
