Gyártó Termékszám:
FQA33N10
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQA33N10-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Készlet:
12847159
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQA33N10 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
36A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
51 nC @ 10 V
VGS (max.)
±25V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
163W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3P
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FQA3
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
450
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
2SK1317-E
GYÁRTÓ
Renesas Electronics Corporation
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5608
DiGi RÉSZ SZÁM
2SK1317-E-DG
EGYSÉGÁR
3.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDMC86240
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
FDP047N08
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
