Gyártó Termékszám:
FQA18N50V2
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQA18N50V2-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Részletes leírás:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P
Készlet:
12850368
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQA18N50V2 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
500 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
20A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
55 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
277W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3P
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FQA1
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
450
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IXTQ26N50P
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IXTQ26N50P-DG
EGYSÉGÁR
3.47
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
STW19NM50N
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
337
DiGi RÉSZ SZÁM
STW19NM50N-DG
EGYSÉGÁR
3.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FDA18N50
GYÁRTÓ
Fairchild Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1564
DiGi RÉSZ SZÁM
FDA18N50-DG
EGYSÉGÁR
1.66
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDFS2P103A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
AOTF2610L
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F