Gyártó Termékszám:
FQA11N90C
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQA11N90C-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Részletes leírás:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Készlet:
12848305
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQA11N90C Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
900 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
11A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
80 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
300W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3P
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FQA1
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Egyéb nevek
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STW7NK90Z
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
86
DiGi RÉSZ SZÁM
STW7NK90Z-DG
EGYSÉGÁR
1.75
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRFPF50PBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
466
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFPF50PBF-DG
EGYSÉGÁR
3.01
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
