Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FDS6680
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDS6680-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Részletes leírás:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Készlet:
RFQ Online
12839088
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDS6680 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
3V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
27 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2070 pF @ 15 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.5W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
8-SOIC
Csomag / tok
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Alap termékszám
FDS66
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FDS6680
HTML Adatlap
FDS6680-DG
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDS6680DKR
FDS6680CT
FDS6680TR
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF7821TRPBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
16602
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF7821TRPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.37
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FDS6680A
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2496
DiGi RÉSZ SZÁM
FDS6680A-DG
EGYSÉGÁR
0.32
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN3010LSS-13
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2390
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN3010LSS-13-DG
EGYSÉGÁR
0.22
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
SI4420BDY-T1-E3
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2500
DiGi RÉSZ SZÁM
SI4420BDY-T1-E3-DG
EGYSÉGÁR
0.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
SI4686DY-T1-GE3
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
6279
DiGi RÉSZ SZÁM
SI4686DY-T1-GE3-DG
EGYSÉGÁR
0.54
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDD9409L-F085
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
FQB13N50CTM
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
FCH041N60E
MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
FCD360N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK