FDS3812
Gyártó Termékszám:

FDS3812

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FDS3812-DG

Leírás:

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Részletes leírás:
Mosfet Array 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Készlet:

12930522
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

FDS3812 Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
80V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
18nC @ 10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
634pF @ 40V
Teljesítmény - Max
900mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Beszállítói eszközcsomag
8-SOIC
Alap termékszám
FDS38

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok
HTML Adatlap

További információk

Standard csomag
2,500

Környezeti és Exportosztályozás

Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
IRF7103TRPBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
9567
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF7103TRPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
onsemi

FDG6316P

MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88

onsemi

FDZ1416NZ

MOSFET 2N-CH 4WLCSP

onsemi

FDW2601NZ

MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP