Gyártó Termékszám:
FDS2170N3
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDS2170N3-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Készlet:
12850569
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDS2170N3 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
8-SO FLMP
Csomag / tok
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Alap termékszám
FDS21
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
FDMS2672
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1825
DiGi RÉSZ SZÁM
FDMS2672-DG
EGYSÉGÁR
1.14
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
