Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FDN8601
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDN8601-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Készlet:
20024 Új, eredeti, készleten lévő db
12838623
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDN8601 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
109mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
5 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
210 pF @ 50 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
1.5W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
SOT-23-3
Csomag / tok
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Alap termékszám
FDN860
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FDN8601
HTML Adatlap
FDN8601-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
FDN8601DKR
ONSONSFDN8601
FDN8601TR
FDN8601-DG
2156-FDN8601-OS
2832-FDN8601TR
FDN8601CT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
BSS84PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
FQU11P06TU
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK