FDN5618P

Gyártó Termékszám:

FDN5618P

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FDN5618P-DG

Leírás:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Részletes leírás:

P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Készlet:

31131 Új, eredeti, készleten lévő db

12846740

Ajánlatkérés

Mennyiség
Minimum 1

(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek

KÜLDÉS

FDN5618P Műszaki jellemzők

Kategória

FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek

Gyártó

onsemi

Csomagolás

Tape & Reel (TR)

Sorozat

PowerTrench®

Termék állapota

Active

FET típus

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)

60 V

Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C

1.25A (Ta)

Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.25A, 10V

vgs(th) (max) @ azonosító

3V @ 250µA

Kapu töltése (qg) (max) @ vgs

13.8 nC @ 10 V

VGS (max.)

±20V

Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds

430 pF @ 30 V

FET funkció

-

Teljesítményelnyelés (max.)

500mW (Ta)

Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)

Szerelés típusa

Surface Mount

Beszállítói eszközcsomag

SOT-23-3

Csomag / tok

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Alap termékszám

FDN5618

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok

HTML Adatlap

További információk

Standard csomag

3,000

Egyéb nevek

FDN5618PCT

2832-FDN5618PTR

FDN5618PDKR

FDN5618PTR

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot

ROHS3 Compliant

Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)

REACH státusz

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Tanúsítvány

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kapcsolódó Termékek

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN