Gyártó Termékszám:
FDI150N10
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDI150N10-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Készlet:
3338 Új, eredeti, készleten lévő db
12839857
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDI150N10 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tube
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
57A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
69 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
4760 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
110W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-262 (I2PAK)
Csomag / tok
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Alap termékszám
FDI150
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
FDI150N10OS
FDI150N10-DG
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
NDB4050
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
FDD4243
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
RFD14N05SM
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
