Gyártó Termékszám:
FDFS2P102
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDFS2P102-DG
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Részletes leírás:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Készlet:
12846459
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDFS2P102 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
10 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET funkció
Schottky Diode (Isolated)
Teljesítményelnyelés (max.)
900mW (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
8-SOIC
Csomag / tok
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Alap termékszám
FDFS2
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDFS2P102_NLCT-DG
FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLTR-DG
FDFS2P102TR-NDR
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102CT
FDFS2P102CT-NDR
FDFS2P102_NL
FDFS2P102TR
FDFS2P102DKR
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH
AOWF4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
