FDD8778
Gyártó Termékszám:

FDD8778

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FDD8778-DG

Leírás:

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Részletes leírás:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Készlet:

12847328
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

FDD8778 Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
25 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
35A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
18 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
845 pF @ 13 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
39W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-252AA
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Alap termékszám
FDD877

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok
HTML Adatlap

További információk

Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
IPD135N03LGATMA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
31780
DiGi RÉSZ SZÁM
IPD135N03LGATMA1-DG
EGYSÉGÁR
0.26
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
infineon-technologies

BSD314SPEL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4128

MOSFET N-CH 25V 60A TO252

onsemi

FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252

onsemi

FQPF9N25C

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F