Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FDD4N60NZ
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDD4N60NZ-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Készlet:
RFQ Online
12835966
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDD4N60NZ Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sorozat
UniFET-II™
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
10.8 nC @ 10 V
VGS (max.)
±25V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
114W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-252AA
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Alap termékszám
FDD4N60
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FDD4N60NZ
HTML Adatlap
FDD4N60NZ-DG
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDD4N60NZ-DG
FDD4N60NZCT
FDD4N60NZTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STD4NK60ZT4
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2241
DiGi RÉSZ SZÁM
STD4NK60ZT4-DG
EGYSÉGÁR
0.58
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IPD80R2K4P7ATMA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2421
DiGi RÉSZ SZÁM
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
EGYSÉGÁR
0.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
STD3N62K3
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3586
DiGi RÉSZ SZÁM
STD3N62K3-DG
EGYSÉGÁR
0.36
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FQD5N60CTM
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
FQD5N60CTM-DG
EGYSÉGÁR
0.42
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
ALKATRÉSZ SZÁM
TSM4NB60CP ROG
GYÁRTÓ
Taiwan Semiconductor Corporation
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
9
DiGi RÉSZ SZÁM
TSM4NB60CP ROG-DG
EGYSÉGÁR
0.34
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
6HP04CH-TL-W
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FDP3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
IRL530A
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3