Gyártó Termékszám:
FDC6401N
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDC6401N-DG
Leírás:
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Részletes leírás:
Mosfet Array 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Készlet:
432 Új, eredeti, készleten lévő db
12837860
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDC6401N Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual)
FET funkció
-
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
4.6nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
324pF @ 10V
Teljesítmény - Max
700mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beszállítói eszközcsomag
SuperSOT™-6
Alap termékszám
FDC6401
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
FDC6401NTR
FDC6401NCT
FDC6401NDKR
FDC6401N-DG
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
NTHD4508NT1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
314
DiGi RÉSZ SZÁM
NTHD4508NT1G-DG
EGYSÉGÁR
0.68
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDS4935
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
FW811-TL-E
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
EFC2K103NUZTDG
MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP