Gyártó Termékszám:
FDC6302P
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDC6302P-DG
Leírás:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Részletes leírás:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Készlet:
12836886
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDC6302P Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 P-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
25V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
120mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
0.31nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
11pF @ 10V
Teljesítmény - Max
700mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beszállítói eszközcsomag
SuperSOT™-6
Alap termékszám
FDC6302
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
NTJD4152PT1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
15411
DiGi RÉSZ SZÁM
NTJD4152PT1G-DG
EGYSÉGÁR
0.10
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
