FDC6302P
Gyártó Termékszám:

FDC6302P

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FDC6302P-DG

Leírás:

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Részletes leírás:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Készlet:

12836886
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

FDC6302P Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 P-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
25V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
120mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
0.31nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
11pF @ 10V
Teljesítmény - Max
700mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beszállítói eszközcsomag
SuperSOT™-6
Alap termékszám
FDC6302

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok
HTML Adatlap

További információk

Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
NTJD4152PT1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
15411
DiGi RÉSZ SZÁM
NTJD4152PT1G-DG
EGYSÉGÁR
0.10
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
onsemi

FDMS1D2N03DSD

MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN

onsemi

FDMS3604AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

onsemi

FDS6984S

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

onsemi

ECH8652-TL-H

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH