FDB6670AS
Gyártó Termékszám:

FDB6670AS

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FDB6670AS-DG

Leírás:

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
Részletes leírás:
N-Channel 30 V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Készlet:

12846616
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

FDB6670AS Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
62A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
3V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
39 nC @ 15 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1570 pF @ 15 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
62.5W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FDB667

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok
HTML Adatlap

További információk

Standard csomag
800

Környezeti és Exportosztályozás

Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
PSMN4R3-30BL,118
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
9945
DiGi RÉSZ SZÁM
PSMN4R3-30BL,118-DG
EGYSÉGÁR
0.58
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PSMN017-30BL,118
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1868
DiGi RÉSZ SZÁM
PSMN017-30BL,118-DG
EGYSÉGÁR
0.37
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON6362P

MOSFET N-CH 30V 8DFN