Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FDB047N10
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDB047N10-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Készlet:
RFQ Online
12838928
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDB047N10 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
120A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
210 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
15265 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
375W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263 (D2PAK)
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
FDB047
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FDB047N10 Datasheet
További információk
Standard csomag
800
Egyéb nevek
FDB047N10DKR
FDB047N10TR
2156-FDB047N10-OS
FDB047N10CT
FAIFSCFDB047N10
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PHB27NQ10T,118
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7068
DiGi RÉSZ SZÁM
PHB27NQ10T,118-DG
EGYSÉGÁR
0.55
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PSMN3R8-100BS,118
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
16656
DiGi RÉSZ SZÁM
PSMN3R8-100BS,118-DG
EGYSÉGÁR
1.54
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PSMN015-100B,118
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2021
DiGi RÉSZ SZÁM
PSMN015-100B,118-DG
EGYSÉGÁR
0.81
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF3808STRLPBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3022
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF3808STRLPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.30
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF100S201
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2305
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF100S201-DG
EGYSÉGÁR
1.63
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQPF7N80C
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3