Gyártó Termékszám:
FDA79N15
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDA79N15-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN
Részletes leírás:
N-Channel 150 V 79A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN
Készlet:
12851068
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDA79N15 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
UniFET™
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
150 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
79A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 39.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
73 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3410 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
417W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3PN
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
FDA79
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRFP4321PBF
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5739
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFP4321PBF-DG
EGYSÉGÁR
2.19
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
2SK1317-E
GYÁRTÓ
Renesas Electronics Corporation
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5608
DiGi RÉSZ SZÁM
2SK1317-E-DG
EGYSÉGÁR
3.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IXTQ96N15P
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IXTQ96N15P-DG
EGYSÉGÁR
4.21
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDC642P-F085
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
MCH6421-TL-W
MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6
IRFP450B
MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
