Gyártó Termékszám:
2SK4210
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
2SK4210-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Részletes leírás:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Készlet:
12836327
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
2SK4210 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
900 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
10A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
-
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
75 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3PB
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
2SK4210
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
100
Egyéb nevek
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
TK9J90E,S1E
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
TK9J90E,S1E-DG
EGYSÉGÁR
1.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
