Gyártó Termékszám:
2SK4209
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
2SK4209-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Részletes leírás:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Készlet:
12832685
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
2SK4209 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
800 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
12A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
75 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3PB
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
2SK4209
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
100
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
FQA13N80-F109
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
76
DiGi RÉSZ SZÁM
FQA13N80-F109-DG
EGYSÉGÁR
2.65
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
2SK3704
MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML
BUK7Y3R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
PSMN2R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
