Gyártó Termékszám:
2SB817C-1E
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
2SB817C-1E-DG
Leírás:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Részletes leírás:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Készlet:
12837070
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
2SB817C-1E Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egységes Bipoláris Tranzisztorok
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
Tranzisztor típusa
PNP
Áram - kollektor (ic) (max)
12 A
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
140 V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Áram - kollektor levágása (max.)
100µA (ICBO)
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1A, 5V
Teljesítmény - Max
120 W
Frekvencia - átmenet
10MHz
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Beszállítói eszközcsomag
TO-3P-3L
Alap termékszám
2SB817
További információk
Standard csomag
30
Egyéb nevek
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
FJA4210OTU
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
392
DiGi RÉSZ SZÁM
FJA4210OTU-DG
EGYSÉGÁR
1.81
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
2SA1386
GYÁRTÓ
Sanken Electric USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
2SA1386-DG
EGYSÉGÁR
2.19
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
MMBT2222AT-TP
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
2SC4211-6-TL-E
TRANS NPN 50V 0.15A MCP
BC637RL1G
TRANS NPN 60V 1A TO92