Gyártó Termékszám:
2SA1319S-AA
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
2SA1319S-AA-DG
Leírás:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Részletes leírás:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
Készlet:
6000 Új, eredeti, készleten lévő db
12996783
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
2SA1319S-AA Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egységes Bipoláris Tranzisztorok
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Bulk
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
PNP
Áram - kollektor (ic) (max)
700 mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
160 V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
500mV @ 25mA, 250mA
Áram - kollektor levágása (max.)
100nA (ICBO)
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 100mA, 5V
Teljesítmény - Max
700 mW
Frekvencia - átmenet
120MHz
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Fokozat
-
Minősítés
-
Szerelés típusa
Through Hole
Csomag / tok
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Beszállítói eszközcsomag
3-NP
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
2,664
Egyéb nevek
2156-2SA1319S-AA-488
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Vendor Undefined
REACH státusz
REACH Unaffected
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
MMBT3906,215
NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL
BCX54,115
NEXPERIA BCX54 - SMALL SIGNAL BI
BC856BMYL
NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN
