Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
PHB33NQ20T,118
Product Overview
Gyártó:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cikkszám:
PHB33NQ20T,118-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 32.7A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Készlet:
3135 Új, eredeti, készleten lévő db
12830437
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
PHB33NQ20T,118 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Nexperia
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
TrenchMOS™
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
32.7A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
32.2 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1870 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
230W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
D2PAK
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Alap termékszám
PHB33NQ20
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
PHB33NQ20T,118
HTML Adatlap
PHB33NQ20T,118-DG
További információk
Standard csomag
800
Egyéb nevek
568-5942-6-DG
934058109118
1727-4765-1
1727-4765-2
568-5942-6
1727-4765-6
PHB33NQ20T,118-DG
568-5942-1
568-5942-2
5202-PHB33NQ20T,118TR
568-5942-2-DG
PHB33NQ20T /T3
PHB33NQ20T /T3-DG
568-5942-1-DG
PHB33NQ20T118
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
PSMN4R0-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK56
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
64-2098PBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PSMN1R0-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56