Gyártó Termékszám:
2N6766
Product Overview
Gyártó:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cikkszám:
2N6766-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Készlet:
13259809
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
yHyA
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
2N6766 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Microsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
30A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
115 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3
Csomag / tok
TO-204AE
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
1
Egyéb nevek
2N6766-ND
150-2N6766
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
RoHS non-compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
2N7224
MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
APT50M75JLLU3
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
APT19F100J
MOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP
