Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
APT7M120B
Product Overview
Gyártó:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cikkszám:
APT7M120B-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Részletes leírás:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Készlet:
RFQ Online
13254190
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
m
Z
1
5
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
APT7M120B Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Microchip Technology
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
8A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
80 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2565 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
335W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-247 [B]
Csomag / tok
TO-247-3
Alap termékszám
APT7M120
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
APT7M120(B,S)
High-Voltage Power Discretes and Modules
További információk
Standard csomag
30
Egyéb nevek
APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IXFH6N120P
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
282
DiGi RÉSZ SZÁM
IXFH6N120P-DG
EGYSÉGÁR
6.03
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
APTM20DAM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
APT18M80B
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
APT84F50L
MOSFET N-CH 500V 84A TO264
APT26M100JCU2
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227