Gyártó Termékszám:
IXTQ182N055T
Product Overview
Gyártó:
IXYS
DiGi Electronics Cikkszám:
IXTQ182N055T-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Részletes leírás:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Készlet:
12821951
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
xsz1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IXTQ182N055T Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Littelfuse
Csomagolás
-
Sorozat
TrenchMV™
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
55 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
182A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
114 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
4850 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
360W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-3P
Csomag / tok
TO-3P-3, SC-65-3
Alap termékszám
IXTQ182
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IXTH260N055T2
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3
DiGi RÉSZ SZÁM
IXTH260N055T2-DG
EGYSÉGÁR
3.89
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
