Gyártó Termékszám:
IXFT20N100P
Product Overview
Gyártó:
IXYS
DiGi Electronics Cikkszám:
IXFT20N100P-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
Részletes leírás:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Készlet:
12908072
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IXFT20N100P Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Littelfuse
Csomagolás
Tube
Sorozat
HiPerFET™, Polar
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1000 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
20A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
6.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
126 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
660W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-268AA
Csomag / tok
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Alap termékszám
IXFT20
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IRFBF20SPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK