Gyártó Termékszám:
AUIRF3205ZS
Product Overview
Gyártó:
International Rectifier
DiGi Electronics Cikkszám:
AUIRF3205ZS-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Készlet:
1650 Új, eredeti, készleten lévő db
12946806
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
tpiH
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
AUIRF3205ZS Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Csomagolás
Bulk
Sorozat
HEXFET®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
55 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
75A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
110 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
170W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
D2PAK
Csomag / tok
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
237
Egyéb nevek
2156-AUIRF3205ZS
INFIRFAUIRF3205ZS
Környezeti és Exportosztályozás
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDP39N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1