Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
IRLBD59N04ETRLP
Product Overview
Gyártó:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cikkszám:
IRLBD59N04ETRLP-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
Részletes leírás:
N-Channel 40 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5
Készlet:
RFQ Online
12806083
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
k
8
l
d
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IRLBD59N04ETRLP Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Infineon Technologies
Csomagolás
-
Sorozat
HEXFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
40 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
59A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
50 nC @ 5 V
VGS (max.)
±10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2190 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
130W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-263-5
Csomag / tok
TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
IRLBD59N04E
További információk
Standard csomag
800
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IRLR8103VTRR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
IRF6722STRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRLH6224TR2PBF
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
IRL3803S
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK