Gyártó Termékszám:
IRF6611
Product Overview
Gyártó:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cikkszám:
IRF6611-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Részletes leírás:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Készlet:
12804257
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
DRjC
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IRF6611 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Infineon Technologies
Csomagolás
-
Sorozat
HEXFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.25V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
56 nC @ 4.5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
4860 pF @ 15 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
DIRECTFET™ MX
Csomag / tok
DirectFET™ Isometric MX
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
4,800
Egyéb nevek
IRF6611CT
IRF6611TR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
RoHS non-compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
3 (168 Hours)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PSMN2R5-30YL,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2090
DiGi RÉSZ SZÁM
PSMN2R5-30YL,115-DG
EGYSÉGÁR
0.39
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IRF7809
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
IRFZ44E
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
IRF7353D2PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
