Gyártó Termékszám:
IPI075N15N3GXKSA1
Product Overview
Gyártó:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cikkszám:
IPI075N15N3GXKSA1-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Részletes leírás:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Készlet:
498 Új, eredeti, készleten lévő db
12801590
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
ldMK
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IPI075N15N3GXKSA1 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Infineon Technologies
Csomagolás
Tube
Sorozat
OptiMOS™
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
150 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
100A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 270µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
93 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
300W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
PG-TO262-3
Csomag / tok
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Alap termékszám
IPI075
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
SP000680676
2156-IPI075N15N3GXKSA1
INFINFIPI075N15N3GXKSA1
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
