EPC2018
Gyártó Termékszám:

EPC2018

Product Overview

Gyártó:

EPC

DiGi Electronics Cikkszám:

EPC2018-DG

Leírás:

GANFET N-CH 150V 12A DIE
Részletes leírás:
N-Channel 150 V 12A (Ta) Surface Mount Die

Készlet:

12816649
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

EPC2018 Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
EPC
Csomagolás
-
Sorozat
eGaN®
Termék állapota
Discontinued at Digi-Key
FET típus
N-Channel
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
150 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
12A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 3mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
7.5 nC @ 5 V
VGS (max.)
+6V, -5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 100 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
-
Üzemi hőmérséklet
-40°C ~ 125°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
Die
Csomag / tok
Die
Alap termékszám
EPC20

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok
HTML Adatlap

További információk

Standard csomag
500
Egyéb nevek
917-1034-6
917-1034-1
917-1034-2

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
EPC2010C
GYÁRTÓ
EPC
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
6905
DiGi RÉSZ SZÁM
EPC2010C-DG
EGYSÉGÁR
3.21
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
texas-instruments

CSD18531Q5AT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

infineon-technologies

IPW65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

infineon-technologies

IRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

texas-instruments

CSD18503KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3