Gyártó Termékszám:
EPC2016
Product Overview
Gyártó:
EPC
DiGi Electronics Cikkszám:
EPC2016-DG
Leírás:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Készlet:
12815126
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
EPC2016 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
EPC
Csomagolás
-
Sorozat
eGaN®
Termék állapota
Discontinued at Digi-Key
FET típus
N-Channel
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
11A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 3mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (max.)
+6V, -5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
520 pF @ 50 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
-
Üzemi hőmérséklet
-40°C ~ 125°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
Die
Csomag / tok
Die
Alap termékszám
EPC20
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
EPC2016C
GYÁRTÓ
EPC
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
177045
DiGi RÉSZ SZÁM
EPC2016C-DG
EGYSÉGÁR
1.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
