Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
DMN65D8LV-13
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMN65D8LV-13-DG
Leírás:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Részletes leírás:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Készlet:
RFQ Online
12979164
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMN65D8LV-13 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
60 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
0.87 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
22 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
370mW (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
SOT-23-3
Csomag / tok
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Alap termékszám
DMN65
További információk
Standard csomag
10,000
Egyéb nevek
31-DMN65D8LV-13TR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN65D8LV-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN65D8LV-7-DG
EGYSÉGÁR
0.04
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN65D8LQ-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
41570
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN65D8LQ-7-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN65D8L-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
562868
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN65D8L-7-DG
EGYSÉGÁR
0.01
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN65D8LQ-13
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
294
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN65D8LQ-13-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT64M1LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333