Gyártó Termékszám:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMN61D8LVT-13-DG
Leírás:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Részletes leírás:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Készlet:
9150 Új, eredeti, készleten lévő db
12901235
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMN61D8LVT-13 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
60V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
0.74nC @ 5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
12.9pF @ 12V
Teljesítmény - Max
820mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beszállítói eszközcsomag
TSOT-26
Alap termékszám
DMN61
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
10,000
Egyéb nevek
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
DMT3022UEV-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
BSS8402DWQ-7
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363