Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
DMN6013LFG-13
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMN6013LFG-13-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Részletes leírás:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Készlet:
RFQ Online
12888024
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMN6013LFG-13 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
60 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
3V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
55.4 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2577 pF @ 30 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
1W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
PowerDI3333-8
Csomag / tok
8-PowerVDFN
Alap termékszám
DMN6013
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
DMN6013LFG-13
HTML Adatlap
DMN6013LFG-13-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN6013LFG-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
25330
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN6013LFG-7-DG
EGYSÉGÁR
0.23
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
ALKATRÉSZ SZÁM
DMN6013LFGQ-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1960
DiGi RÉSZ SZÁM
DMN6013LFGQ-7-DG
EGYSÉGÁR
0.28
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
ALKATRÉSZ SZÁM
TPH7R006PL,L1Q
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
54092
DiGi RÉSZ SZÁM
TPH7R006PL,L1Q-DG
EGYSÉGÁR
0.25
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO