Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
DMN2600UFB-7
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMN2600UFB-7-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Részletes leírás:
N-Channel 25 V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Készlet:
24346 Új, eredeti, készleten lévő db
12949408
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMN2600UFB-7 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
25 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
0.85 nC @ 4.5 V
VGS (max.)
±8V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
70.13 pF @ 15 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
540mW (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
X1-DFN1006-3
Csomag / tok
3-UFDFN
Alap termékszám
DMN2600
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
DMN2600UFB-7
HTML Adatlap
DMN2600UFB-7-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DICT
-DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DI-DG
-DMN2600UFB-7DIDKR
DMN2600UFB-7DIDKR
-DMN2600UFB-7DICT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMP10H4D2S-13
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMNH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
DMP3028LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8