Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMN2014LHAB-7-DG
Leírás:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Részletes leírás:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Készlet:
2886 Új, eredeti, készleten lévő db
12888156
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMN2014LHAB-7 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.1V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
16nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1550pF @ 10V
Teljesítmény - Max
800mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-UFDFN Exposed Pad
Beszállítói eszközcsomag
U-DFN2030-6 (Type B)
Alap termékszám
DMN2014
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
DMN2014LHAB-7
HTML Adatlap
DMN2014LHAB-7-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
DMP1046UFDB-13
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
DMPH6050SPDQ-13
MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363