Gyártó Termékszám:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Gyártó:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cikkszám:
DMJ70H1D3SH3-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Részletes leírás:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Készlet:
12949687
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DMJ70H1D3SH3 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Diodes Incorporated
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
700 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
13.9 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
351 pF @ 50 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
41W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-251 (Type TH3)
Csomag / tok
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Alap termékszám
DMJ70
További információk
Standard csomag
75
Egyéb nevek
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IPS70R1K4P7SAKMA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
EGYSÉGÁR
0.18
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
ALKATRÉSZ SZÁM
IPS80R600P7AKMA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IPS80R600P7AKMA1-DG
EGYSÉGÁR
0.69
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060